パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子 (POWER ELECTRONICS)(中古品)
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623794292
商品説明
(中古品)
パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際—MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子 (POWER ELECTRONICS)
【ブランド名】
五十嵐 征輝: author;
【商品説明】
内容(「BOOK」データベースより) IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)は、MOS FETとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー・デバイスです。パワー・デバイスとは、電源やモータ制御などのように電力を消費する電子回路で使用される半導体素子で、エアコンや冷蔵庫のコンプレッサなどの小容量の機器から電車のモータ駆動装置のような大容量のものまで、我々の周りのいろいろな電気機器に使われています。本書は、このIGBTの活用方法について詳細に解説しています。 著者略歴 (「BOOK著者紹介情報」より) 五十嵐/征輝 1960年北海道生まれ。1984年明治大学大学院工学研究科博士前期課程修了、富士電機株式会社入社。2000年東京都立大学大学院電気工学科博士課程修了、博士(工学)。現在、富士電機システムズ株式会社モジュール技術部IGBTモジュールの開発に従事。電気学会上級会員、2010年電気学会産業応用部門大会論文委員長(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
当店では初期不良に限り、商品到着から7日間は返品をお受けいたします。
イメージと違う、必要でなくなった等、お客様都合のキャンセル・返品は一切お受けしておりません。
中古品の場合、基本的に説明書・外箱・ドライバーインストール用のCD-ROMはついておりません。
商品名に「限定」「保証」等の記載がある場合でも特典や保証・ダウンロードコードは付いておりません。
写真は代表画像であり実際にお届けする商品の状態とは異なる場合があります。
中古品の場合は中古の特性上キズ、汚れがある場合があります。
他モールでも併売しておりますので、万が一お品切れの場合はご連絡致します。
ご注文からお届けまで
1.ご注文
ご注文は24時間受け付けております
2.注文確認 ご注文後、注文確認メールを送信します
3.在庫確認
在庫切れの場合はご連絡させて頂きます。
※中古品は受注後に、再メンテナンス、梱包しますのでお届けまで3〜7営業日程度とお考え下さい。
4.入金確認
前払い決済をご選択の場合、ご入金確認後、配送手配を致します。
5.出荷
配送準備が整い次第、出荷致します。配送業者、追跡番号等の詳細をメール送信致します。
6.到着
出荷後、1〜3日後に商品が到着します。
※離島、北海道、九州、沖縄は遅れる場合がございます。予めご了承下さい。
パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際—MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子 (POWER ELECTRONICS)
【ブランド名】
五十嵐 征輝: author;
【商品説明】
内容(「BOOK」データベースより) IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)は、MOS FETとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー・デバイスです。パワー・デバイスとは、電源やモータ制御などのように電力を消費する電子回路で使用される半導体素子で、エアコンや冷蔵庫のコンプレッサなどの小容量の機器から電車のモータ駆動装置のような大容量のものまで、我々の周りのいろいろな電気機器に使われています。本書は、このIGBTの活用方法について詳細に解説しています。 著者略歴 (「BOOK著者紹介情報」より) 五十嵐/征輝 1960年北海道生まれ。1984年明治大学大学院工学研究科博士前期課程修了、富士電機株式会社入社。2000年東京都立大学大学院電気工学科博士課程修了、博士(工学)。現在、富士電機システムズ株式会社モジュール技術部IGBTモジュールの開発に従事。電気学会上級会員、2010年電気学会産業応用部門大会論文委員長(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
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イメージと違う、必要でなくなった等、お客様都合のキャンセル・返品は一切お受けしておりません。
中古品の場合、基本的に説明書・外箱・ドライバーインストール用のCD-ROMはついておりません。
商品名に「限定」「保証」等の記載がある場合でも特典や保証・ダウンロードコードは付いておりません。
写真は代表画像であり実際にお届けする商品の状態とは異なる場合があります。
中古品の場合は中古の特性上キズ、汚れがある場合があります。
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6.到着
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※離島、北海道、九州、沖縄は遅れる場合がございます。予めご了承下さい。
(中古品)パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際—MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子 (POWER ELECTRONICS)//五十嵐 征輝: author; /内容(「BOOK」データベースより)
IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)は、MOS FETとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー・デバイスです。パワー・デバイスとは、電源やモータ制御などのように電力を消費する電子回路で使用される半導体素子で、エアコンや冷蔵庫のコンプレッサなどの小容量の機器から電車のモータ駆動装置のような大容量のものまで、我々の周りのいろいろな電気機器に使われています。本書は、このIGBTの活用方法について詳細に解説しています。
著者略歴 (「BOOK著者紹介情報」より)
五十嵐/征輝
1960年北海道生まれ。1984年明治大学大学院工学研究科博士前期課程修了、富士電機株式会社入社。2000年東京都立大学大学院電気工学科博士課程修了、博士(工学)。現在、富士電機システムズ株式会社モジュール技術部IGBTモジュールの開発に従事。電気学会上級会員、2010年電気学会産業応用部門大会論文委員長(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
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